Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIB411DK-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2753249

SIB411DK-T1-E3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB411DK-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIB411DK-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIB411DK-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SC-75-6L Single
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SC-75-6L
Citi vārdi

SIB411DK-T1-E3CT
SIB411DKT1E3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

470pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

15nC @ 8V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIB411DK-T1-E3” saistītie produkti.

SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB-128-02-F-S

SIB-128-02-F-S

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB412DK-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB-128-02-F-S-LC

SIB-128-02-F-S-LC

Apraksts: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Ražotāji: Samtec, Inc.

Noliktavā

SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.