Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI7872DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
368828SI7872DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7872DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7872DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7872DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Sērija
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Jauda - maks
    1.4W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Citi vārdi
    SI7872DP-T1-GE3TR
    SI7872DPT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6.4A
  • Bāzes daļas numurs
    SI7872

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7872DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7860ADP-T1-GE3

SI7860ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7860DP-T1-E3

SI7860DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7860DP-T1-GE3

SI7860DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7866ADP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.