Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7860DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1881945SI7860DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7860DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7860DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7860DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 18A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.8W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7860DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7860ADP-T1-E3

SI7860ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7858ADP-T1-GE3

SI7858ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7866ADP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7860DP-T1-E3

SI7860DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7860ADP-T1-GE3

SI7860ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.