Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7718DN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6656855

SI7718DN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7718DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7718DN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7718DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 10A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8
Citi vārdi

SI7718DN-T1-GE3TR
SI7718DNT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1600pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

45nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7718DN-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7682DP-T1-GE3

SI7682DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7686DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7674DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7682DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7738DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.