Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7143DP-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

765165

SI7143DP-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7143DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.644

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7143DP-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7143DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SO-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 16.1A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SO-8
Citi vārdi

SI7143DP-T1-GE3TR
SI7143DPT1GE3
Darbības temperatūra

-50°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

27 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2230pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

71nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

P-Channel 30V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7143DP-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7138DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7153DN-T1-GE3

SI7153DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7156DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7156DP-T1-GE3

SI7156DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7148DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7149DP-T1-GE3

SI7149DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7136DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7145DP-T1-GE3

SI7145DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.