Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7123DN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5010608

SI7123DN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7123DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.496

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7123DN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7123DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.5W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8
Citi vārdi

SI7123DN-T1-GE3TR
SI7123DNT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

3729pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

90nC @ 4.5V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

P-Channel 20V 10.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

10.2A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7123DN-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7119DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7120DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7117DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7143DP-T1-GE3

SI7143DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7136DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7138DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.