Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7101DN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5670493

SI7101DN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7101DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.58

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7101DN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7101DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 15A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8
Citi vārdi

SI7101DN-T1-GE3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

32 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

3595pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

102nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7101DN-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7107DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7102DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7100DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7106DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7108DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7104DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7060-EVB

SI7060-EVB

Apraksts: SI7060 EVALUATION BOARD

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.