Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7100DN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1288763SI7100DN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7100DN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7100DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Darbības temperatūra
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3810pF @ 4V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    105nC @ 8V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    8V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7100DN-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Apraksts: SI7060 EVALUATION BOARD

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

Apraksts: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.