Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI5511DC-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6613162

SI5511DC-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5511DC-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI5511DC-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI5511DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

1206-8 ChipFET™
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Jauda - maks

3.1W, 2.6W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SMD, Flat Lead
Citi vārdi

SI5511DC-T1-GE3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

435pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

7.1nC @ 5V
FET tips

N and P-Channel
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

4A, 3.6A
Bāzes daļas numurs

SI5511

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI5511DC-T1-GE3” saistītie produkti.

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5515DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5513DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5509DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5517DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5511DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5499DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5504DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5499DC-T1-GE3

SI5499DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.