Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI5499DC-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5154110SI5499DC-T1-E3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5499DC-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI5499DC-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI5499DC-T1-E3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    1206-8 ChipFET™
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SMD, Flat Lead
  • Citi vārdi
    SI5499DC-T1-E3CT
    SI5499DCT1E3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1290pF @ 4V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    35nC @ 8V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    8V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 8V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI5499DC-T1-E3” saistītie produkti.
SI5484DU-T1-E3

SI5484DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5511DC-T1-E3

SI5511DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5482DU-T1-GE3

SI5482DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5481DU-T1-E3

SI5481DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5486DU-T1-E3

SI5486DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5481DU-T1-GE3

SI5481DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5485DU-T1-GE3

SI5485DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5482DU-T1-E3

SI5482DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5485DU-T1-E3

SI5485DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5484DU-T1-GE3

SI5484DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5499DC-T1-GE3

SI5499DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.