Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4931DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3304459

SI4931DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.47
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4931DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4931DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 350µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Jauda - maks
    1.1W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4931DY-T1-GE3TR
    SI4931DYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    33 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 P-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6.7A
  • Bāzes daļas numurs
    SI4931

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4931DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.