Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4920DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4765812

SI4920DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4920DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4920DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    23nC @ 5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -
  • Bāzes daļas numurs
    SI4920

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4920DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.