Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4816DY-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1453296

SI4816DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4816DY-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4816DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 6.3A, 10V
Jauda - maks

1W, 1.25W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

-
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

12nC @ 5V
FET tips

2 N-Channel (Half Bridge)
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.3A, 7.7A
Bāzes daļas numurs

SI4816

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4816DY-T1-GE3” saistītie produkti.

SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4824-A10-CUR

Apraksts: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4824-A10-CU

Apraksts: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4822-A10-CU

Apraksts: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4822-A10-CUR

Apraksts: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4820-A10-CU

Apraksts: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4820-A10-CUR

Apraksts: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4823DY-T1-E3

SI4823DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.