Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4808DY-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5995611

SI4808DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.947

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4808DY-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4808DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7.5A, 10V
Jauda - maks

1.1W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

13 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

-
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

20nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.7A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4808DY-T1-E3” saistītie produkti.

SI4778DY-T1-GE3

SI4778DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4778DY-T1-E3

SI4778DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4791-3T1A-EVB

SI4791-3T1A-EVB

Apraksts: EVAL BOARD SI4791

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4800,518

SI4800,518

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale

Noliktavā

SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.