Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4420BDY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3444297

SI4420BDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.367
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4420BDY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4420BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.4W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4420BDY-T1-GE3TR
    SI4420BDYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4420BDY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4421-A0-FT

SI4421-A0-FT

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4421-A1-FT

SI4421-A1-FT

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4418DY-T1-GE3

SI4418DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4420-D1-FT

SI4420-D1-FT

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4421-A0-FTR

SI4421-A0-FTR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4421-A1-FTR

SI4421-A1-FTR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4420DYPBF

SI4420DYPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420-D1-FTR

SI4420-D1-FTR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4420DYTRPBF

SI4420DYTRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4418DY-T1-E3

SI4418DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.