Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4418DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6491114

SI4418DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4418DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4418DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4418DY-T1-GE3TR
    SI4418DYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4418DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4420DYPBF

SI4420DYPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420-D1-FTR

SI4420-D1-FTR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4418DY-T1-E3

SI4418DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4420DYTRPBF

SI4420DYTRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
SI4420BDY-T1-GE3

SI4420BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4420-D1-FT

SI4420-D1-FT

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.