SI4368DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$1.054

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4368DY-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4368DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 25A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.6W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4368DY-T1-E3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

8340pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

80nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Šis ir ar “SI4368DY-T1-E3” saistītie produkti.

SI4362BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4368DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4378DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4384DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4388DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4388DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4356-B1A-FMR

Apraksts: IC RCVR EZRADIO STANDALONE 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4386DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4390DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4384DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4362BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4386DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4355-C2A-GMR

Apraksts: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4362-B0B-FM

Apraksts: RECEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4362-C2A-GMR

Apraksts: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4356-B1A-FM

Apraksts: IC RX SUB-GHZ STAND ALONE QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4362-B1B-FM

Apraksts: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4362-B1B-FMR

Apraksts: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4362-C2A-GM

Apraksts: EZRADIOPRO SUB GHZ RECEIVER, -11

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4378DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI4368DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI4362BDY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-GE3

SI4356-B1A-FMR

SI4386DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

SI4355-C2A-GMR

SI4362-B0B-FM

SI4362-C2A-GMR

SI4356-B1A-FM

SI4362-B1B-FM

SI4362-B1B-FMR

SI4362-C2A-GM

SI4378DY-T1-E3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda