Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4362BDY-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5310097

SI4362BDY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4362BDY-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4362BDY-T1-E3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 19.8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3W (Ta), 6.6W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4800pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 29A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4362BDY-T1-E3” saistītie produkti.
SI4378DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4355-C2A-GM

SI4355-C2A-GM

Apraksts: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4355-B1A-FMR

SI4355-B1A-FMR

Apraksts: IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4356-B1A-FMR

SI4356-B1A-FMR

Apraksts: IC RCVR EZRADIO STANDALONE 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4362BDY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4362-C2A-GMR

SI4362-C2A-GMR

Apraksts: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4356-B1A-FM

SI4356-B1A-FM

Apraksts: IC RX SUB-GHZ STAND ALONE QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4362-B1B-FMR

SI4362-B1B-FMR

Apraksts: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4362-B1B-FM

SI4362-B1B-FM

Apraksts: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4362-B0B-FM

SI4362-B0B-FM

Apraksts: RECEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4362-C2A-GM

SI4362-C2A-GM

Apraksts: EZRADIOPRO SUB GHZ RECEIVER, -11

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4355-C2A-GMR

SI4355-C2A-GMR

Apraksts: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.