Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4286DY-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2993931

SI4286DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.499

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4286DY-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4286DY-T1-GE3.pdf
ECAD modelis
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

32.5 mOhm @ 8A, 10V
Jauda - maks

2.9W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4286DY-T1-GE3TR
SI4286DYT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

375pF @ 20V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

10.5nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Standard
Drain to avota spriegumam (Vdss)

40V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

7A
Bāzes daļas numurs

SI4286

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4286DY-T1-GE3” saistītie produkti.

SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4311-B21-GM

Apraksts: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4311-B12-GMR

Apraksts: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4311-B10-GM

Apraksts: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4300-EVB

SI4300-EVB

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI4300

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Apraksts: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Apraksts: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4311-B21-GMR

Apraksts: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4311-B12-GM

Apraksts: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.