Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4226DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1385197

SI4226DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4226DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4226DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Jauda - maks
    3.2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4226DY-T1-GE3TR
    SI4226DYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1255pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    25V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Bāzes daļas numurs
    SI4226

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4226DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4212-TKDX-EVB

SI4212-TKDX-EVB

Apraksts: KIT EVAL TXRX FOR SI4212

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Apraksts: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Apraksts: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4212-RKDA-EVB

SI4212-RKDA-EVB

Apraksts: BOARD EMULATION FOR SI4212

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4300-EVB

SI4300-EVB

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI4300

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4212-RRDA-EVB

SI4212-RRDA-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4212

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4212-TRDX-EVB

SI4212-TRDX-EVB

Apraksts: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4212-B-GM

SI4212-B-GM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 36-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.