Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4204DY-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3751643

SI4204DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.947

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4204DY-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4204DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 10A, 10V
Jauda - maks

3.25W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4204DY-T1-GE3TR
SI4204DYT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

27 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2110pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

45nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Standard
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

19.8A
Bāzes daļas numurs

SI4204

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4204DY-T1-GE3” saistītie produkti.

SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4210-EVB

SI4210-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4206-EVB

SI4206-EVB

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI4206

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4210-A-IF-EVB

SI4210-A-IF-EVB

Apraksts: BOARD INTERFACE FOR SI4210

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4205-BM

SI4205-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4200-EVB

SI4200-EVB

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI4200

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4200-GM

SI4200-GM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4201-BM

SI4201-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4206-BM

SI4206-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4201-GM

SI4201-GM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4205-EVB+F19

SI4205-EVB+F19

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI4205

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4210-E-RF-EVB

SI4210-E-RF-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4210-G-KT-EVB

SI4210-G-KT-EVB

Apraksts: BOARD EMULATION FOR SI4210

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4210-E-KT-EVB

SI4210-E-KT-EVB

Apraksts: BOARD EMULATION FOR SI4210

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4200-BM

SI4200-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4210-D-GM

Apraksts: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.