Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4196DY-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2569390

SI4196DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4196DY-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4196DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 8A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2W (Ta), 4.6W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

830pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

22nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4196DY-T1-E3” saistītie produkti.

SI4201-BM

SI4201-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4200-BM

SI4200-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4205-BM

SI4205-BM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4200-GM

SI4200-GM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4200-EVB

SI4200-EVB

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI4200

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4201-GM

SI4201-GM

Apraksts: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.