Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI3850ADV-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5711406SI3850ADV-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3850ADV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI3850ADV-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI3850ADV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Jauda - maks
    1.08W
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Citi vārdi
    SI3850ADV-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • FET tips
    N and P-Channel, Common Drain
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.4A, 960mA
  • Bāzes daļas numurs
    SI3850

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI3850ADV-T1-GE3” saistītie produkti.
SI3861BDV-T1-E3

SI3861BDV-T1-E3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3853DV-T1-GE3

SI3853DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3851DV-T1-E3

SI3851DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3812DV-T1-GE3

SI3812DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3865BDV-T1-E3

SI3865BDV-T1-E3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3865CDV-T1-E3

SI3865CDV-T1-E3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3861BDV-T1-GE3

SI3861BDV-T1-GE3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Apraksts: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3865BDV-T1-GE3

SI3865BDV-T1-GE3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3865CDV-T1-GE3

SI3865CDV-T1-GE3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3865DDV-T1-GE3

SI3865DDV-T1-GE3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Apraksts: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.