Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI3812DV-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6292182SI3812DV-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3812DV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI3812DV-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI3812DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    600mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    830mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    Schottky Diode (Isolated)
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI3812DV-T1-GE3” saistītie produkti.
SI3851DV-T1-E3

SI3851DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Apraksts: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3865BDV-T1-E3

SI3865BDV-T1-E3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3853DV-T1-E3

SI3853DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3853DV-T1-GE3

SI3853DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Apraksts: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3861BDV-T1-E3

SI3861BDV-T1-E3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3861BDV-T1-GE3

SI3861BDV-T1-GE3

Apraksts: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.