SI3457CDV-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.79

10+

$0.663

100+

$0.498

500+

$0.365

1000+

$0.282

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI3457CDV-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI3457CDV-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

6-TSOP
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 4.1A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3W (Tc)
Iepakojums

Original-Reel®
Iepakojums / lieta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Citi vārdi

SI3457CDV-T1-E3DKR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

450pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

15nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

P-Channel 30V 5.1A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.1A (Tc)

Šis ir ar “SI3457CDV-T1-E3” saistītie produkti.

SI3456BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3456BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3458BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3458BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3456CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3455ADV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3457DV

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

SI3456DDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3459BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3457BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3456CDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3457BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3455ADV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3459-B02-IMR

Apraksts: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3459-KIT

Apraksts: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3457CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3458DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3456DDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI3459-B02-IM

Apraksts: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI3459BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI3457CDV-T1-E3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI3456BDV-T1-GE3

SI3456BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-E3

SI3456CDV-T1-GE3

SI3455ADV-T1-E3

SI3457DV

SI3456DDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

SI3456CDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-GE3

SI3455ADV-T1-GE3

SI3459-B02-IMR

SI3459-KIT

SI3457CDV-T1-GE3

SI3458DV-T1-E3

SI3456DDV-T1-GE3

SI3459-B02-IM

SI3459BDV-T1-GE3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda