Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI3457BDV-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3449058SI3457BDV-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3457BDV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI3457BDV-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI3457BDV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54 mOhm @ 5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.14W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI3457BDV-T1-GE3” saistītie produkti.
SI3456BDV-T1-E3

SI3456BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3455ADV-T1-E3

SI3455ADV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3458BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3456DDV-T1-E3

SI3456DDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3458DV-T1-E3

SI3458DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3459-B02-IM

SI3459-B02-IM

Apraksts: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3459-KIT

SI3459-KIT

Apraksts: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3454CDV-T1-GE3

SI3454CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3456CDV-T1-E3

SI3456CDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3456BDV-T1-GE3

SI3456BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3457DV

SI3457DV

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI3459-B02-IMR

SI3459-B02-IMR

Apraksts: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3455ADV-T1-GE3

SI3455ADV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.