SI2343DS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.74

10+

$0.626

100+

$0.47

500+

$0.345

1000+

$0.266

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2343DS-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2343DS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

750mW (Ta)
Iepakojums

Original-Reel®
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

SI2343DS-T1-GE3DKR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

540pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

21nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

P-Channel 30V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

Šis ir ar “SI2343DS-T1-GE3” saistītie produkti.

SI2351DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2336DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2341DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2342DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

RFQ

SI2351DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2365EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2356DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2343CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2337DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2341DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2371EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2372DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2347DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2337DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2367DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2343DS-T1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2369DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2366DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2343DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2338DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI2343DS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI2351DS-T1-E3

SI2336DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

SI2337DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

SI2371EDS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

SI2343DS-T1

SI2369DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-E3

SI2338DS-T1-GE3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda