Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2341DS-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3951096

SI2341DS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI2341DS-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI2341DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    710mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 2.5A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI2341DS-T1-GE3” saistītie produkti.
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.