Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N4448TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
30219031N4448TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

1N4448TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.026
30000+
$0.023
50000+
$0.021
100000+
$0.019
250000+
$0.017
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N4448TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1N4448TR.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 100mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-35
  • Ātrums
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    8ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Citi vārdi
    1N4448VSTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    175°C (Max)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 75V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    150mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    1N4448

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N4448TR” saistītie produkti.
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W-HE3-18

1N4448W-HE3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.