Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N4448W-7-F
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
40213631N4448W-7-F attēlsDiodes Incorporated

1N4448W-7-F

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.034
6000+
$0.03
15000+
$0.026
30000+
$0.024
75000+
$0.021
150000+
$0.018
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N4448W-7-F
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1N4448W-7-F.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.25V @ 150mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    75V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOD-123
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    4ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOD-123
  • Citi vārdi
    1N4448W-FDITR
    1N4448W7F
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOD-123
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    2.5µA @ 75V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    250mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    1N4448W

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N4448W-7-F” saistītie produkti.
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W-TP

1N4448W-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448WS

1N4448WS

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4448WQ-7-F

1N4448WQ-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N4448W-HE3-18

1N4448W-HE3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4448WS RRG

1N4448WS RRG

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.