Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N4150W-E3-08
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
49944491N4150W-E3-08 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

1N4150W-E3-08

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.046
6000+
$0.04
15000+
$0.034
30000+
$0.032
75000+
$0.03
150000+
$0.027
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N4150W-E3-08
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1N4150W-E3-08.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 200mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    50V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOD-123
  • Ātrums
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    4ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOD-123
  • Citi vārdi
    1N4150W-E3-08TR
    1N4150W-V-GS08
    1N4150W-V-GS08TR
    1N4150W-V-GS08TR-ND
    1N4150WVGS08
  • Darba temperatūra - savienojums
    150°C (Max)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    49 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 50V 200mA Surface Mount SOD-123
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    100nA @ 50V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    200mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    1N4150W

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N4150W-E3-08” saistītie produkti.
1N4150-1

1N4150-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N4150_T50R

1N4150_T50R

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4149_T50R

1N4149_T50R

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4151

1N4151

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4149TR

1N4149TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150_T26A

1N4150_T26A

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150

1N4150

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150TR

1N4150TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150TR

1N4150TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4150UR-1

1N4150UR-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N4150 TR

1N4150 TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150W-G3-18

1N4150W-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4150TR_S00Z

1N4150TR_S00Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150_T50A

1N4150_T50A

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N4150TAP

1N4150TAP

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.