1N4150 TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.57

10+

$0.399

100+

$0.262

500+

$0.155

1000+

$0.119

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N4150 TR
Ražotājs / zīmols

Central Semiconductor
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1N4150 TR.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1V @ 200mA
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

50V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-35
Ātrums

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

6ns
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

DO-204AH, DO-35, Axial
Citi vārdi

1N4150 CT
1N4150 CT-ND
1N4150CSCT
Darba temperatūra - savienojums

-65°C ~ 200°C
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

21 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

100nA @ 50V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

200mA
Ietilpība @ Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

Šis ir ar “1N4150 TR” saistītie produkti.

1N4150-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N4148_S00Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

1N4150

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

1N4148_NT50A

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

1N4150TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

1N4150TAP

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

1N4149

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N4150W-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

1N4149TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

1N4150W-E3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

1N4150 TR

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

1N4150-1

1N4148_S00Z

1N4150

1N4148_NT50A

1N4150TR

1N4150TAP

1N4149

1N4150W-G3-18

1N4149TR

1N4150W-E3-08

1N4150UR-1

1N4148_L99Z

1N4149_T50R

1N4148_S62Z

1N4150W-E3-18

1N4150TR_S00Z

1N4148_T26R

1N4150TR

1N4149

1N4150W-G3-08

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda