Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN6A09GTA

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2482851

ZXMN6A09GTA attēls

Diodes Incorporated

ZXMN6A09GTA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1000+

$0.595

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

ZXMN6A09GTA
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Satur svinu / RoHS atbilstību
Datu lapas

ZXMN6A09GTA.pdf
ECAD modelis
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-223
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 8.2A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-261-4, TO-261AA
Citi vārdi

ZXMN6A09GTR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

20 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Contains lead / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1407pF @ 40V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

24.2nC @ 5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 5.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “ZXMN6A09GTA” saistītie produkti.

ZXMN6A08GQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GQTC

Apraksts: MOSFETN-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A10N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09KQTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11GTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08E6QTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.