Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > ZXMN6A11DN8TA

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2167195

ZXMN6A11DN8TA attēls

Diodes Incorporated

ZXMN6A11DN8TA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

500+

$0.518

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

ZXMN6A11DN8TA
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

ZXMN6A11DN8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SOP
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Jauda - maks

1.8W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

ZXMN6A11DN8TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

20 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

330pF @ 40V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

5.7nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

2.5A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “ZXMN6A11DN8TA” saistītie produkti.

ZXMN6A09KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GQTC

Apraksts: MOSFETN-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25K

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A10N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11GTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A11GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09KQTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A25G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A09GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.