Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMTH6002LPS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6926286

DMTH6002LPS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.838
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH6002LPS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMTH6002LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI5060-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 50A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    167W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Citi vārdi
    DMTH6002LPS-13-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6555pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    130.8nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 100A (Tc) 167W Surface Mount PowerDI5060-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH6002LPS-13” saistītie produkti.
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Apraksts: MOSFET 60V 100A TO220-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Apraksts: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SK3-13

DMTH4007SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Apraksts: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Apraksts: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.