Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMTH43M8LK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3819351DMTH43M8LK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMTH43M8LK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.419
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH43M8LK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMTH43M8LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252, (D-Pak)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    88W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2693pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    38.5nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    40V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 40V 100A (Tc) 88W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH43M8LK3-13” saistītie produkti.
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Apraksts: MOSFET 60V 100A TO220-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Apraksts: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007LK3Q-13

DMTH4007LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 15.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Apraksts: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Apraksts: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007LPS-13

DMTH4007LPS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4007SK3-13

DMTH4007SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.