Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMT6009LPS-13

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4562430

DMT6009LPS-13 attēls

Diodes Incorporated

DMT6009LPS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.483

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMT6009LPS-13
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Satur svinu / RoHS atbilstību
Datu lapas

DMT6009LPS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerDI5060-8
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.3W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-PowerTDFN
Citi vārdi

DMT6009LPS-13DITR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

20 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Contains lead / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1925pF @ 30V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

33.5nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 10.6A (Ta), 87A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 87A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMT6009LPS-13” saistītie produkti.

DMT6007LFG-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6005LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6010LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6008LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6008LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LSS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LCT

DMT6009LCT

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6007LFG-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LK3-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6010LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6015LFV-7

Apraksts: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6015LFV-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6010LSS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6005LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.