Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMT6009LFG-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6684176DMT6009LFG-7 attēlsDiodes Incorporated

DMT6009LFG-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
1000+
$0.533
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMT6009LFG-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 11A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMT6009LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI3333-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerWDFN
  • Citi vārdi
    DMT6009LFG-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1925pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 34A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMT6009LFG-7” saistītie produkti.
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.