Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMT6004SCT

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1418805

DMT6004SCT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.18

50+

$1.755

100+

$1.58

500+

$1.229

1000+

$1.018

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMT6004SCT
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Satur svinu / RoHS atbilstību
Datu lapas

DMT6004SCT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-220-3
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.65 mOhm @ 100A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.3W (Ta), 113W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-220-3
Citi vārdi

DMT6004SCTDI-5
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Contains lead / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

4556pF @ 30V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

95.4nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMT6004SCT” saistītie produkti.

DMT6008LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT4P1K

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics

Noliktavā

DMT6007LFG-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT5015LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT4P22K

Apraksts: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics

Noliktavā

DMT6005LCT

DMT6005LCT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT4P22K-F

Apraksts: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics

Noliktavā

DMT6008LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LCT

DMT6009LCT

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6005LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT5015LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT4D47K

Apraksts: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics

Noliktavā

DMT6004LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 22A

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6009LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT4S1K-F

Apraksts: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics

Noliktavā

DMT6007LFG-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT6005LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMT4P1K-F

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics

Noliktavā

DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.