Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMT6002LPS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2436059

DMT6002LPS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.854
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMT6002LPS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMT6002LPS-13.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI5060-8
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 50A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.3W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6555pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    130.8nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMT6002LPS-13” saistītie produkti.
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Apraksts: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Apraksts: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 22A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Apraksts: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Apraksts: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.