Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMNH10H028SPSQ-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1796822DMNH10H028SPSQ-13 attēlsDiodes Incorporated

DMNH10H028SPSQ-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.928
5000+
$0.894
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMNH10H028SPSQ-13.pdf
  • Spriegums - pārbaude
    2245pF @ 50V
  • Spriegums - sadalījums
    PowerDI5060-8
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40A (Tc)
  • Polarizācija
    8-PowerTDFN
  • Citi vārdi
    DMNH10H028SPSQ-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    36nC @ 10V
  • IGBT tips
    ±20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • FET iezīme
    N-Channel
  • Paplašināts apraksts
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    -
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100V
  • Kapacitātes koeficients
    1.6W (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMNH10H028SPSQ-13” saistītie produkti.
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Apraksts: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Apraksts: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Apraksts: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.