Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMNH10H028SCT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3398844

DMNH10H028SCT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.69
50+
$1.352
100+
$1.183
500+
$0.918
1000+
$0.725
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMNH10H028SCT
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMNH10H028SCT.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.8W (Ta)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    DMNH10H028SCTDI-5
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1942pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    31.9nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMNH10H028SCT” saistītie produkti.
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF2-63FIB-C

DMNF2-63FIB-C

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF2-488FIB-C

DMNF2-488FIB-C

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Apraksts: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNF2-63-C

DMNF2-63-C

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Apraksts: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.