Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN30H4D0LFDE-13

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4264407

DMN30H4D0LFDE-13 attēls

Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

10000+

$0.122

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN30H4D0LFDE-13
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN30H4D0LFDE-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

U-DFN2020-6 (Type E)
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 300mA, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

630mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

6-UDFN Exposed Pad
Citi vārdi

DMN30H4D0LFDE-13DI
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

187.3pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

7.6nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.7V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

300V
Detalizēts apraksts

N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

550mA (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN30H4D0LFDE-13” saistītie produkti.

DMN30H4D0L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3055LFDB-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3150LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN313DLT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3055LFDB-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN30H4D0L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3150L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3067LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN30H14DLY-13

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3065LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3115UDM-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3112SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3110S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3135LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3067LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3070SSN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3065LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3112S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.