Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN30H14DLY-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6820029DMN30H14DLY-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN30H14DLY-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.333
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN30H14DLY-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN30H14DLY-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-89
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 Ohm @ 300mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    900mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-243AA
  • Citi vārdi
    DMN30H14DLY-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    96pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    4nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    300V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 300V 210mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-89
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    210mA (Ta)
  • Bāzes daļas numurs
    DMN30H14

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN30H14DLY-13” saistītie produkti.
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.