Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3033LDM-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6671111DMN3033LDM-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN3033LDM-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.187
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3033LDM-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN3033LDM-7.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-26
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6
  • Citi vārdi
    DMN3033LDM-7-ND
    DMN3033LDM-7DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    755pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 6.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6.9A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3033LDM-7” saistītie produkti.
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.