Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMN3032LFDB-13

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4061916

DMN3032LFDB-13 attēls

Diodes Incorporated

DMN3032LFDB-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

10000+

$0.149

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN3032LFDB-13
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN3032LFDB-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

U-DFN2020-6 (Type B)
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5.8A, 10V
Jauda - maks

1W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

6-UDFN Exposed Pad
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

500pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

10.6nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Standard
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

6.2A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN3032LFDB-13” saistītie produkti.

DMN3033LSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3027LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3029LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3032LFDBQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3030LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3033LSNQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3027LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3030LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3026LVTQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3033LDM-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3026LVTQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3031LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3033LSN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3033LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3032LE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3032LFDB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN3033LSNQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.