Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3010LK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
192378DMN3010LK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN3010LK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.287
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3010LK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 43A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMN3010LK3-13.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 18A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.6W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    DMN3010LK3-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2075pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 13.1A (Ta), 43A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    13.1A (Ta), 43A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3010LK3-13” saistītie produkti.
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Apraksts: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.