Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3009SK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4005097DMN3009SK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN3009SK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.246
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3009SK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMN3009SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252, (D-Pak)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.4W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2000pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 80A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3009SK3-13” saistītie produkti.
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Apraksts: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Apraksts: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.