Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN10H120SFG-7

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5213077

DMN10H120SFG-7 attēls

Diodes Incorporated

DMN10H120SFG-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2000+

$0.271

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN10H120SFG-7
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN10H120SFG-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerDI3333-8
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 3.3A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-PowerVDFN
Citi vārdi

DMN10H120SFG-7-ND
DMN10H120SFG-7DITR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

32 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

549pF @ 50V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

10.6nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

6V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

100V
Detalizēts apraksts

N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN10H120SFG-7” saistītie produkti.

DMN1033UCB4-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H099SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H120SE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1045UFR4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.