Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMJ70H601SV3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2504772

DMJ70H601SV3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
75+
$1.466
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMJ70H601SV3
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMJ70H601SV3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-251
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    686pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    20.9nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    700V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMJ70H601SV3” saistītie produkti.
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
FDMS86101

FDMS86101

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF9393TRPBF

IRF9393TRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFR7440PBF

IRFR7440PBF

Apraksts: MOSFET N CH 40V 90A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Ražotāji: Skyworks Solutions, Inc.
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
CSD17309Q3

CSD17309Q3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A 8SON

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IPI11N60C3AAKSA2

IPI11N60C3AAKSA2

Apraksts: MOSFET N-CH I2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Apraksts: MOSFET N-CH TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Apraksts: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
SSM3K16CT,L3F

SSM3K16CT,L3F

Apraksts: X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
ZVN4206AVSTOA

ZVN4206AVSTOA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.